MMBT489LT1G和NSS30101LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT489LT1G NSS30101LT1G FMMT489TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT489LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 310 mW, 1 A, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  NSS30101LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 710 mW, 1 A, 200 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 150 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 2.00 A 1.00 A 1.00 A

额定功率 - - 0.5 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 310 mW 710 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 2A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 300 @500mA, 5V 300 @500mA, 5V 100 @1A, 2V

额定功率(Max) 710 mW 310 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 710 mW 310 mW 500 mW

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

直流电流增益(hFE) 300 200 -

最大电流放大倍数(hFE) - 900 -

长度 3.04 mm 3.04 mm 3 mm

宽度 2.64 mm 2.64 mm 1.4 mm

高度 1.11 mm 1.11 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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