IRF3703PBF和IRFZ14PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3703PBF IRFZ14PBF STP200NF03

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 2.3Milliohms; ID 210A; TO-220AB; PD 230W; -55de功率MOSFET Power MOSFETN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V 60.0 V 30.0 V

额定电流 210 A 10.0 A 120 A

漏源极电阻 3.9 mΩ 0.2 Ω 0.0032 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 43 W 300 W

产品系列 IRF3703 - -

输入电容 8250pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 60 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 60.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 210 A 10.0 A 60.0 A

上升时间 123 ns 50 ns 195 ns

输入电容(Ciss) 8250pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 43 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2 V 4 V

下降时间 - 19 ns 60 ns

耗散功率(Max) - 43 W 300000 mW

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10.54 mm 10.41 mm 10.4 mm

高度 15.24 mm 9.01 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.7 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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