对比图
型号 FDB7042L ISL9N306AS3ST FDB8896
描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 TO-263 TO-263 TO-263-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
漏源极电阻 9.00 mΩ 9.50 mΩ 4.9 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83.0 W 125 W 80 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 75.0 A 93.0 A
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 93.0 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2.5 V
输入电容 - - 2.62 nF
栅电荷 - - 48.0 nC
上升时间 - - 102 ns
输入电容(Ciss) - - 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 80 W
下降时间 - - 44 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 80W (Tc)
封装 TO-263 TO-263 TO-263-3
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.7 mm
高度 - - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99