对比图
型号 JANTX2N3766 JANTXV2N3767
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORDIODE
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管
封装 TO-213 TO-213
安装方式 Through Hole -
引脚数 3 -
封装 TO-213 TO-213
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
耗散功率 25 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 5V -
额定功率(Max) 25 W -
工作温度(Max) 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -
耗散功率(Max) 25000 mW -
材质 Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 -