IXFH50N20和STW40NF20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH50N20 STW40NF20 IRFP260MPBF

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH50N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 VN沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 50.0 A 40.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.045 Ω 0.038 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 160 W 300 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

输入电容 - 2.50 nF -

栅电荷 - 75.0 nC -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 25.0 A, 40.0 A -

上升时间 15.0 ns 44 ns -

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 4057pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 160 W 300 W

下降时间 - 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 160W (Tc) -

通道数 - - 1

产品系列 - - IRFP260M

额定功率 300 W - -

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm 5.31 mm

高度 - 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not For New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司