PBSS3515E和PBSS3515M,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS3515E PBSS3515M,315 PBSS3515E,115

描述 15 V , 0.5 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorDFN PNP 15V 0.5ANXP  PBSS3515E,115  单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 150 mW, -500 mA, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75 SOT-883 SOT-416

频率 - 280 MHz 280 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 0.43 W 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @100mA, 2V 150 @100mA, 2V

额定功率(Max) - 430 mW 250 mW

耗散功率(Max) - 430 mW -

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 SC-75 SOT-883 SOT-416

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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