对比图
型号 BCW33LT1 BCW33LT3G BCW33LT1G
描述 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistor(NPN Silicon)NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V 32.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 225 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) 225 mW 300 mW 225 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW
针脚数 - - 3
最大电流放大倍数(hFE) - - 800
直流电流增益(hFE) - - 420
长度 - 3.04 mm 2.9 mm
宽度 - 2.64 mm 1.3 mm
高度 - 1.11 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99 EAR99