对比图
型号 CY7C25632KV18-400BZXI CY7C2563KV18-400BZC CY7C2563KV18-400BZXI
描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟）与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
时钟频率 400 MHz - -
位数 18 - -
存取时间 0.45 ns 1 ms 1 ms
存取时间(Max) 0.45 ns - -
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -
高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a - -