对比图
描述 TO-220NIS N-CH 600V 3.5A250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN沟道600V - 1.8ohm - 4.2A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
漏源极电阻 - - 2.20 Ω
耗散功率 - 32W (Tc) 100 W
上升时间 - - 14 ns
输入电容(Ciss) - 200pF @25V(Vds) 475pF @25V(Vds)
下降时间 - - 19 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - 32W (Tc) 100000 mW
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 600 V 250 V -
连续漏极电流(Ids) 3.5A 2.8A -
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tube, Rail - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -