对比图
型号 IXFP10N60P STP10NM60N IXTI10N60P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 VSTMICROELECTRONICS STP10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 10.0 A - 10.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.74 Ω 0.53 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 200 W 70 W 200W (Tc)
阈值电压 5.5 V 3 V -
输入电容 1.61 nF 540 pF 1.61 nF
栅电荷 32.0 nC - 32.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 10.0 A
上升时间 27 ns 12 ns -
反向恢复时间 200 ns - -
输入电容(Ciss) 1610pF @25V(Vds) 540pF @50V(Vds) 1610pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 70 W -
下降时间 21 ns 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 200000 mW 70W (Tc) 200W (Tc)
长度 10.66 mm 10.4 mm -
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 9.15 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
香港进出口证 - NLR -