PSMN005-30K和PSMN005-30K,518

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN005-30K PSMN005-30K,518

描述 TrenchMOSTM logic level FETNXP PSMN005-30K,518 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 30V, 4.4mohm, 10V, 3V

数据手册 --

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - SOIC-8

漏源极电阻 - 0.0044 Ω

耗散功率 - 3.5 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) - 30 V

上升时间 - -

输入电容(Ciss) - 3100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.5 W

下降时间 - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - 3.5W (Tc)

极性 - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 20.0 A

封装 - SOIC-8

材质 - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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