PSMN005-30K,518中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
输入电容Ciss 3100pF @25VVds
额定功率Max 3.5 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 3.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN005-30K,518
型号： PSMN005-30K,518
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN005-30K,518 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 30V, 4.4mohm, 10V, 3V
替代型号PSMN005-30K,518
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