CA5260M和CA5260MZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CA5260M CA5260MZ TLV272ID

描述 3MHz的,采用BiMOS微处理器与MOSFET的输入运算放大器/ CMOS输出 3MHz, BiMOS Microprocessor Operational Amplifiers with MOSFET Input/CMOS OutputCA5260,双 3MHz,BiMOS 微处理器运算放大器,带 MOSFET 输入/CMOS 输出,IntersilMOSFET 输入阶段提供高输入抗阻和低输入电流 非常适合单电源应用 共模输入电压范围包括负电源供电轨 ### 运算放大器,IntersilIntersil 运算放大器为行业内的高性能放大器 IC。TEXAS INSTRUMENTS  TLV272ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 16.0 V 16.0 V

输出电流 - 2.2mA @15V 7mA @5V

供电电流 9 mA 9 mA 625 µA

电路数 2 2 2

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 0.396 W

共模抑制比 - 50 dB 65 dB

输入补偿漂移 - - 2.00 µV/K

带宽 3.00 MHz 3 MHz 3 MHz

转换速率 5.00 V/μs 5.00 V/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

过温保护 - - No

输入补偿电压 6 mV 6 mV 500 µV

输入偏置电流 5 pA 5 pA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) - - 396 mW

共模抑制比(Min) - 50 dB 65 dB

电源电压 - 4.5V ~ 16V 2.7V ~ 16V

电源电压(Max) - 16 V 16 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.91 mm

高度 - 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Each Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2014/12/17

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