SI4178DY-T1-GE3和SI4346DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4178DY-T1-GE3 SI4346DY-T1-E3 SI9410BDY-T1-GE3

描述 N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorVISHAY  SI4346DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 VVISHAY  SI9410BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 0.017 Ω 0.019 Ω 0.019 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 5 W 1.31 W 1.5 W

阈值电压 2.8 V 2 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 8.00 A 8.10 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 5 W - -

输入电容(Ciss) 405pF @15V(Vds) - -

下降时间 10 ns 7 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 5 W - -

上升时间 - 11 ns -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm - -

高度 1.55 mm - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台