IPP200N15N3GXKSA1和SUP90N15-18P-E3

对比图

型号 IPP200N15N3GXKSA1 SUP90N15-18P-E3 IPP200N15N3GHKSA1

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorTO-220 N-CH 150V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 150 W 375 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 50A 90.0 A 50A

输入电容(Ciss) 1820pF @75V(Vds) 4180pF @75V(Vds) 1820pF @75V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 375 W 150W (Tc)

漏源极电阻 0.016 Ω 0.018 Ω -

阈值电压 3 V 2.5 V -

上升时间 11 ns 10 ns -

下降时间 6 ns 8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 150 W - -

针脚数 3 - -

输入电容 1820 pF - -

额定功率(Max) 150 W - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

长度 - 10.51 mm -

宽度 - 4.65 mm -

高度 - 15.49 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -