BSP250,135和NTF5P03T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP250,135 NTF5P03T3G BSP250,115

描述 BSP 系列 -30 V 250 mΩ 5 W P沟道 增强模式 D-MOS 晶体管 SOT-223ON SEMICONDUCTOR  NTF5P03T3G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 100 mohm, 10 V, -1.75 VNXP  BSP250,115  晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

针脚数 - 4 3

漏源极电阻 - 0.1 Ω 0.25 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.65 W 3.13 W 5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3A 5.20 A, 5.00 A -2.80 mA

输入电容(Ciss) 250pF @20V(Vds) 950pF @25V(Vds) 250pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.65 W 1.56 W 1.65 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1.65W (Ta) 1.56W (Ta) 1.65W (Ta)

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -5.20 A -

通道数 1 1 -

阈值电压 - 1.75 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 33.0 ns -

长度 - 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 - 1.65 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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