MCP14E4-E/P和MCP14E3T-E/MF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP14E4-E/P MCP14E3T-E/MF UCC27524P

描述 MICROCHIP  MCP14E4-E/P  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 50ns延迟, DIP-84.5 A 双输出 缓冲器/MOSFET 驱动器 具有温度范围-40至125 采用DFN-8封装TEXAS INSTRUMENTS  UCC27524P  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 5A输出, 6ns延迟, DIP-8

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 DFN-8 DIP-8

电源电压(DC) 4.50V (min) 4.50V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 15ns, 18ns 15ns, 18ns 7ns, 6ns

输出接口数 2 2 2

输出电流(Max) - 4.5 A -

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 10 ns

上升时间(Max) 30 ns 30 ns 18 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 140 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

针脚数 8 - 8

上升时间 40ns (Max) - 18 ns

下降时间 40ns (Max) - 10 ns

电源电压(Max) 18 V - 18 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

工作电压 4.5V ~ 18V - -

输出电压 18.0 V - -

输出电流 4.5 A - -

通道数 2 - -

耗散功率 1.1 W - -

耗散功率(Max) 1100 mW - -

封装 PDIP-8 DFN-8 DIP-8

长度 9.27 mm - 10.16 mm

宽度 6.35 mm - 6.6 mm

高度 3.3 mm - 4.57 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 140℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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