对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8832 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 -
封装 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 2 -
漏源极电阻 1.5 mΩ -
耗散功率 300 W 300W (Tc)
阈值电压 1.6 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 73 ns -
输入电容(Ciss) 11400pF @15V(Vds) 7020pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W
下降时间 38 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 80.0 A
极性 N-Channel N-CH
输入电容 11.4 nF 7.02 nF
栅电荷 265 nC 150 nC
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A
通道数 1 -
漏源击穿电压 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 10.67 mm -
宽度 11.33 mm -
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -