对比图
型号 STP45NF06 STP5NK100Z HUF75332P3
描述 STMICROELECTRONICS STP45NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V60A ， 55V ， 0.019 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 1.00 kV 55.0 V
额定电流 38.0 A 3.50 A 60.0 A
额定功率 - 125 W 145 W
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.028 Ω 3.7 Ω 0.016 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 125 W 145 W
阈值电压 3 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 1 kV 55 V
漏源击穿电压 60.0 V 1.00 kV 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 38.0 A 3.50 A 60.0 A
上升时间 100 ns 7.7 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 980pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 125 W 145 W
下降时间 20 ns 19 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 125W (Tc) 145W (Tc)
针脚数 3 3 -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99