对比图
型号 IPD50R1K4CEAUMA1 IPD50R1K4CEBTMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VInfineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 1.26 Ω 1.26 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 42 W 25 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 4.8A 3.1A
上升时间 6 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 178pF @100V(Vds) 178pF @100V(Vds)
下降时间 30 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 42W (Tc) 25 W
额定功率 - 25 W
通道数 - 1
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.41 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17