FDG6320C和FDG6322C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG6320C FDG6322C

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6320C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6322C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

额定电流 220 mA 220 mA

针脚数 6 6

漏源极电阻 4 Ω 2.6 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 300 mW 300 mW

阈值电压 850 mV 850 mV

输入电容 12.0 pF 114 pF

栅电荷 220 pC 1.40 nC

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

漏源击穿电压 25.0 V ±25.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 220 mA 220 mA

上升时间 8.00 ns 8.00 ns

输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) 9.5pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W 0.3 W

长度 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台