对比图
型号 IRFH5053TRPBF SI7454DP-T1-E3 IRFH5053TR2PBF
描述 INFINEON IRFH5053TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 0.0144 ohm, 10 V, 3.7 V 新VISHAY SI7454DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 VPQFN N-CH 100V 25A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerVDFN-8 PowerPAKSO-8 PowerVDFN-8
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0144 Ω 0.028 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3.1 W 1.9 W 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
阈值电压 3.7 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.30 A, 9.30 mA 7.80 A 25A
上升时间 14.6 ns 10 ns 14.6 ns
下降时间 9.9 ns 20 ns 9.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) 1900 mW 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
输入电容(Ciss) 1510pF @50V(Vds) - 1510pF @50V(Vds)
额定功率 3.1 W - -
产品系列 IRFH5053 - -
额定功率(Max) 3.1 W - -
长度 - 5.99 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 1.04 mm -
封装 PowerVDFN-8 PowerPAKSO-8 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -