对比图
型号 IPB60R520CPATMA1 IPB60R600CPATMA1 IPB60R600C6ATMA1
描述 D2PAK N-CH 600V 6.8AD2PAK N-CH 600V 6.1AInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-2 TO-263-2 TO-263-3
额定功率 - - 63 W
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 66W (Tc) 60W (Tc) 63 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 6.8A 6.1A 7.3A
上升时间 12 ns 12 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 630pF @100V(Vds) 550pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)
下降时间 16 ns 17 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 66W (Tc) 60W (Tc) 63 W
长度 - - 10.31 mm
宽度 - - 9.45 mm
高度 - - 4.57 mm
封装 TO-263-2 TO-263-2 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free