MJD50和MJD50T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD50 MJD50T4G NJVMJD50T4G

描述 高电压功率晶体管 High Voltage Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD50T4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 400V TR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 10 MHz 10 MHz

额定电压(DC) 400 V 400 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 15 W 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 30 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1560 mW 1560 mW

最大电流放大倍数(hFE) 150 - 150 @300mA, 10V

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -

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