对比图
型号 IPS1031RPBF VND7NV04TR-E VND5N07-E
描述 Power Switch Lo Side 18A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeSTMICROELECTRONICS VND7NV04TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 45 V, 0.06 ohm, 5 V, 500 mVOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管电源管理
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 6 A 9 A 7 A
供电电流 - 0.1 mA 0.25 mA
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.05 Ω 0.06 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 60 W 60 W
阈值电压 - 500 mV 55 V
漏源极电压(Vds) - 45 V 70 V
漏源击穿电压 - 40.0 V 70.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 5.00 A
输出电流(Max) 3 A 6 A 3.5 A
输出电流(Min) - 6 A 5 A
输入数 - 1 1
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 60000 mW 60000 mW
通道数 - - 1
输入电压(Max) - - 18 V
输入电压 4.5V ~ 5.5V - 18 V
工作电压 36.0V (max) - -
额定功率 2.5 W - -
输入电压(DC) 5.50 V - -
产品系列 IPS1031R - -
电源电压(Max) 5.5 V - -
电源电压(Min) 4.5 V - -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99