对比图
型号 BS107P ZVP2106A 2N6660
描述 BS107 系列 200 V 23 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET -TO-92DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3
额定电压(DC) 200 V -60.0 V -
额定电流 120 mA -280 mA -
漏源极电阻 30.0 Ω 4 Ω 3 Ω
极性 N-Channel P-Channel -
耗散功率 0.5 W 700 mW 6.25 W
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 200 V 60 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 120 mA 320 mA -
额定功率(Max) 500 mW 700 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 700 mW 6.25W (Tc)
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.5 V 2 V
输入电容(Ciss) - 100pF @18V(Vds) 50pF @24V(Vds)
输入电容 - 100 pF -
上升时间 - 5 ns -
下降时间 - 15 ns -
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-39-3
长度 - 6.7 mm -
宽度 - 3.7 mm -
高度 - 1.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -