对比图
描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorINFINEON IPW50R350CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 550 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-262-3 TO-247-3
漏源极电阻 0.32 Ω 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 89 W 89 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 550 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A
上升时间 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1020pF @100V(Vds) 1020pF @100V(Vds)
下降时间 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 89W (Tc) -
针脚数 - 3
额定功率(Max) - 89 W
长度 10.2 mm 16.13 mm
宽度 4.5 mm 5.21 mm
高度 9.45 mm 21.1 mm
封装 TO-262-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17