DTA114EUA-T106和DTA114EUAT106

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114EUA-T106 DTA114EUAT106 DTA114EKA-T146

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-70, 3 PINROHM  DTA114EUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFEROHM DTA114EKAT146 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, -50V, -100mA, 10KΩ, 10KΩ, 1 (Ratio), SC-59

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70 SOT-323-3 SC-59

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 200 mW 0.2 W 200 mW

额定功率 - 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 30 -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SC-70 SOT-323-3 SC-59

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.8 mm -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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