对比图
型号 TN5335K1-G TP5335K1-G TN2540N3-G
描述 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, DMOS, P沟道, -85 mA, -350 V, 30 ohm, -10 V, -2.4 V晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3
额定功率 0.36 W 0.36 W 1 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 15 Ω 30 Ω 8 Ω
极性 N-CH P-CH N-CH
耗散功率 0.36 W 360 mW 1 W
阈值电压 2 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 350 V 350 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 0.11A 0.085A 0.175A
上升时间 15 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 110pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 1W (Ta)
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅