对比图
型号 STB42N65M5 STW42N65M5 FCB36N60NTM
描述 STMICROELECTRONICS STB42N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB36N60NTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.07 Ω 0.07 Ω 0.081 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 190 W 312 W
阈值电压 4 V 4 V 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 33A 33A 36A
上升时间 24 ns 24 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 4650pF @100V(Vds) 4650pF @100V(Vds) 4785pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 190 W 312 W
下降时间 13 ns 13 ns 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 312W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 650 V 600 V
长度 10.75 mm 15.75 mm 10.67 mm
宽度 10.4 mm 5.15 mm 9.65 mm
高度 4.6 mm 20.15 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -