NTD20P06LG和NTD20P06LT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD20P06LG NTD20P06LT4G IRLR9343PBF

描述 P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAKP沟道 55V 20A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -55.0 V

额定电流 -15.5 A -15.0 A -20.0 A

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 65 W 65 W 79 W

产品系列 - - IRLR9343

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 15.5 A 15.5 A 20.0 A

上升时间 90 ns 90 ns 24.0 ns

输入电容(Ciss) 1190pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds) 660pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 65 W 65 W 79 W

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.143 Ω 0.143 Ω -

阈值电压 - 1.5 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

下降时间 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 65W (Tc) 65000 mW -

输入电容 1.19 nF - -

栅电荷 26.0 nC - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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