对比图
型号 IPP50R280CEXKSA1 IPP50R299CPXKSA1
描述 Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R280CEXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3
额定功率 66 W 104 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.27 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 92 W 104 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 550 V
连续漏极电流(Ids) 13A 12.0 A
上升时间 6.4 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 773pF @100V(Vds) 1190pF @100V(Vds)
下降时间 7.6 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 92W (Tc) 104W (Tc)
额定功率(Max) - 104 W
长度 10.36 mm -
宽度 15.95 mm -
高度 4.57 mm -
封装 TO-220-3-1 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC