IPD60R750E6和IPD60R950C6ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD60R750E6 IPD60R950C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1

描述 INFINEON  IPD60R750E6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPD60R950C6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VN沟道 600V 7.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.68 Ω 0.68 Ω 540 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 48 W 48 W 63 W

阈值电压 3 V 3 V 2.5 V

输入电容 - 280 pF -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 5.7A 4.4A 7.3A

上升时间 7 ns 8 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 373pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 37 W 63 W

下降时间 12 ns 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 48W (Tc) 37W (Tc) 63W (Tc)

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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