MMBT8099LT1和MMBT8099LT1G

对比图

型号 MMBT8099LT1 MMBT8099LT1G MMBT8099L

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN SiliconNPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管SOT-23-3 NPN 80V 0.5A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 150 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V 100

最大电流放大倍数(hFE) - 300 300

额定功率(Max) 225 mW 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 150 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -