对比图
型号 FDS7288N3 STL140N4LLF5 BSC080N03LSGATMA1
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8
额定功率 - - 35 W
通道数 - 1 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 4.50 mΩ 0.0021 Ω 0.0067 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3W (Ta) 80 W 35 W
阈值电压 - 1 V 2.2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 40 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 140A 14A
上升时间 11.0 ns 29 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) 3300pF @15V(Vds) 5900pF @25V(Vds) 1300pF @15V(Vds)
下降时间 - 21 ns 2.6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 80W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc)
额定功率(Max) 1.5 W 4 W -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 20.5 A - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 - 4.75 mm 5.9 mm
宽度 - 5.75 mm 5.15 mm
高度 - 0.88 mm 1.27 mm
封装 SOIC-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -