对比图
型号 IPP093N06N3GXKSA1 IPP230N06L3G IPP230N06L3GXKSA1
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3GXKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorTO-220 N-CH 60V 30A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
额定功率 71 W - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 71 W - 36000 mW
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 50A - 30A
上升时间 40 ns - 3 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @30V(Vds) - 1200pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 71 W - -
下降时间 5 ns - 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 71W (Tc) - 36000 mW
长度 10.36 mm - -
宽度 15.95 mm - -
高度 4.57 mm - -
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -