Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3GXKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP093N06N3GXKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 60V 50A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
额定功率 71 W
极性 N-Channel
耗散功率 71 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2900pF @30VVds
额定功率Max 71 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 15.95 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPP093N06N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP230N06L3GXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | IPP093N06N3GXKSA1和IPP230N06L3GXKSA1的区别 |
IPP230N06L3G 英飞凌 | 功能相似 | IPP093N06N3GXKSA1和IPP230N06L3G的区别 |