STI270N4F3和BUK952R3-40E,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STI270N4F3 BUK952R3-40E,127 BUK9E2R3-40E,127

描述 N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 40V 120AI2PAK N-CH 40V 120A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3

引脚数 3 - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 330 W 293W (Tc) 293W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 120A 120A

输入电容(Ciss) 7400pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 293 W 293 W

耗散功率(Max) 330W (Tc) 293W (Tc) 293W (Tc)

漏源极电阻 0.0021 Ω - -

阈值电压 4 V - -

上升时间 180 ns - -

下降时间 45 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 10.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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