IRFR220NPBF和IRFR220NTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR220NPBF IRFR220NTRRPBF IRFR210PBF

描述 INFINEON  IRFR220NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 VN沟道 200V 5AVISHAY  IRFR210PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 43 W 43W (Tc) 25 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5A 2.60 A

上升时间 11 ns 11 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) -

下降时间 12 ns 12 ns 8.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 43W (Tc) 43W (Tc) -

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 2.60 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.6 Ω - 1.5 Ω

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容 300 pF - 140pF @25V

漏源击穿电压 - - 200 V

额定功率 43 W - -

额定功率(Max) 43 W - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 6.73 mm - 6.73 mm

高度 2.39 mm - 2.38 mm

宽度 6.22 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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