71V35761S200PFG和71V35761S200PFG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V35761S200PFG 71V35761S200PFG8 IDT71V35761S200PF

描述 Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100IC SRAM 4.5Mbit 200MHz 100TQFP128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流水线突发输出计数器,单周期取消 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TQFP-100 TQFP-100 LQFP-100

引脚数 100 100 -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

供电电流 360 mA - -

存取时间 3.1 ns - -

存取时间(Max) 3.1 ns - -

封装 TQFP-100 TQFP-100 LQFP-100

长度 20.0 mm 20.0 mm -

宽度 14.0 mm 14.0 mm -

厚度 1.40 mm 1.40 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - - 3A991

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