FQB7N20L和FQB7N20LTM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB7N20L FQB7N20LTM

描述 LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 6.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - TO-263-3

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 - 6.50 A

漏源极电阻 - 750 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 - 3.13 W

漏源极电压(Vds) - 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 6.50 A

上升时间 - 125 ns

输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds)

下降时间 - 65 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 63W (Tc)

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 - TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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