RQ6E030ATTCR和RRQ030P03TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RQ6E030ATTCR RRQ030P03TR RRR030P03TL

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM SemiconductorP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 3

封装 SOT-457 TSOT-23-6 SOT-23-3

针脚数 6 6 3

漏源极电阻 0.07 Ω 55 mΩ 0.055 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1 W

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 8.5 ns 18 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 240pF @15V(Vds) 480pF @10V(Vds) 480pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1.25 W 1 W

下降时间 5.5 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 600mW (Ta) 1W (Ta)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 3A 3A -

长度 - 3 mm 2.9 mm

宽度 - 1.8 mm 1.6 mm

高度 - 0.95 mm 0.9 mm

封装 SOT-457 TSOT-23-6 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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