对比图
型号 MRFE6S9125NBR1 MRFE6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
描述 RF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1735RF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1736MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 5 -
封装 TO-272 TO-270 TO-272
频率 880 MHz 880 MHz 880 MHz
额定电流 10 µA 10 µA 10 µA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
输出功率 27 W 27 W 27 W
增益 20.2 dB 20.2 dB 20.2 dB
测试电流 950 mA 950 mA 950 mA
输入电容(Ciss) 350pF @28V(Vds) 350pF @28V(Vds) -
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
额定电压 66 V 66 V 68 V
电源电压 28 V 28 V -
额定电压(DC) - - 28.0 V
漏源极电压(Vds) - - 28.0 V
封装 TO-272 TO-270 TO-272
工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -