APT40N60JCU2和STF57N65M5

对比图

型号 APT40N60JCU2 STF57N65M5 IXKR40N60

描述 ISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power ModuleN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Chassis Through Hole -

引脚数 4 3 -

封装 SOT-227-4 TO-220-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 290000 mW 40 W -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V -

连续漏极电流(Ids) 40A 42A -

上升时间 30 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 7015pF @25V(Vds) 4200pF @100V(Vds) -

下降时间 10 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 290W (Tc) 40W (Tc) -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.056 Ω -

阈值电压 - 4 V -

额定功率(Max) - 40 W -

高度 9.6 mm 16.4 mm -

封装 SOT-227-4 TO-220-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free