FDMC8651和PSMN9R0-30LL,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMC8651 PSMN9R0-30LL,115 PSMN3R5-30LL,115

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。QFN N-CH 30V 21ATrans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin QFN EP T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-33-8 DFN3333-8 VDFN-8

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.3 W 50 W 71 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 9 ns 18 ns 54 ns

输入电容(Ciss) 3365pF @15V(Vds) 1193pF @15V(Vds) 2061pF @15V(Vds)

下降时间 6 ns 8 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 50W (Tc) 71W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 15A 21A -

额定功率(Max) 2.3 W 50 W -

漏源极电阻 0.0043 Ω - -

阈值电压 1.1 V - -

封装 Power-33-8 DFN3333-8 VDFN-8

长度 3.3 mm - -

宽度 3.3 mm - -

高度 1.05 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台