对比图
型号 JAN2N3996 JANTX2N3996 2N3996
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 4 Pin, TO-111/I, 4 PINNPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTORNPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Solitron Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 - 4 -
封装 TO-111 TO-111-4 TO-111
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 2V -
额定功率(Max) - 2 W -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 2000 mW -
封装 TO-111 TO-111-4 TO-111
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - -