对比图
型号 IPP65R150CFDA IPP65R150CFDAAKSA1 IPP65R150CFDXKSA1
描述 TO-220 N-CH 650V 22.4AN沟道 650V 22.4AInfineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R150CFDXKSA1, 22 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - - 195.3 W
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 135 mΩ - 135 mΩ
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 195.3 W 195.3 W 195.3 W
阈值电压 3.5 V - 3.5 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
漏源击穿电压 650 V - 650 V
连续漏极电流(Ids) 22.4A 22.4A 22.4A
上升时间 7.6 ns 7.6 ns 7.6 ns
输入电容(Ciss) 2340pF @100V(Vds) 2340pF @100V(Vds) 2340pF @100V(Vds)
下降时间 5.6 ns 5.6 ns 5.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 195300 mW 195.3W (Tc) 195.3W (Tc)
长度 10 mm - 10 mm
宽度 4.4 mm - 4.4 mm
高度 15.65 mm - 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free