IRF8707PBF和IRF9410PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8707PBF IRF9410PBF FDS6690A

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8707PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9410PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 7A, SOICSIS 新FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 7.00 A 11.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0119 Ω 0.03 Ω 12.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF8707 IRF9410 -

阈值电压 1.8 V 1 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 7.00 A 11.0 A

上升时间 - 7.30 ns 5.00 ns

输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) 550pF @25V(Vds) 1205pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容 760pF @15V - 1.21 nF

栅电荷 - - 12.0 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta)

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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