ZVP2106G和ZVP2106GTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVP2106G ZVP2106GTA ZVP2106GTC

描述 DIODES INC.  ZVP2106G  晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 VP沟道 60V 450mATrans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

针脚数 4 - -

漏源极电阻 5 Ω 5.00 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 2 W 0.2 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 450 mA 450 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -450 mA -

输入电容 - 100 pF -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 15 ns -

输入电容(Ciss) - 100pF @18V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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