对比图
型号 FJV992PMTF MMBT4403LT1G MMBT2907ALT1G
描述 小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 50 MHz 200 MHz 200 MHz
额定电压(DC) -120 V -40.0 V -60.0 V
额定电流 -50.0 mA -600 mA -600 mA
额定功率 - 225 mW 300 mW
针脚数 - 3 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.3 W 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 120 V 40 V 60 V
集电极最大允许电流 0.05A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @1mA, 6V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 200 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
输入电容 - - 30 pF
上升时间 - - 40 ns
下降时间 - - 30 ns
长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.93 mm 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR